Корзина

Спасибо за ваше обращение ❤️ Все заказы и сообщения, оформленные в нерабочее время, будут обработаны в ближайшее рабочее время.

+380 (95) 217-47-79
TechLine
Корзина
–20%

2SK3878 K3878 MOSFET Toshiba N-канальный 900 В 9 А RDS(on) 1.3 Ом TO-3P VGS ±30 В PD 150 Вт

72,38 ₴

57,90 ₴

Показать оптовые цены

Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴

  • Готово к отправке
  • Оптом и в розницу
  • Код: MK2846
2SK3878 K3878 MOSFET Toshiba N-канальный 900 В 9 А RDS(on) 1.3 Ом TO-3P VGS ±30 В PD 150 Вт
2SK3878 K3878 MOSFET Toshiba N-канальный 900 В 9 А RDS(on) 1.3 Ом TO-3P VGS ±30 В PD 150 ВтГотово к отправке
72,38 ₴57,90 ₴
+380 (95) 217-47-79
Менеджер
+380 (95) 217-47-79
Менеджер
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

2SK3878 K3878 MOSFET Toshiba N-канальный 900 В 9 А RDS(on) 1.3 Ом TO-3P VGS ±30 В PD 150 Вт

N-канальный силовой MOSFET 2SK3878 (K3878) от Toshiba рассчитан на напряжение сток-сток до 900 В и ток до 9 А. Максимальное сопротивление RDS(on) составляет 1.3 Ом и рассеиваемая мощность до 150 Вт делают его подходящим для преобразователей, инверторов и силовых цепей. Корпус TO-3P упрощает установку на радиатор и обеспечивает эффективный теплоотвод. Диапазон напряжения затвор-исток составляет ±30 В.

Подходит для задач, где требуется высокая рабочая напряженность, достаточный токовый запас и надежность: импульсные источники питания, инверторы, преобразователи, силовые модули и аудиоусилители.

Характеристики:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Напряжение VDS: 900 В
  • Ток ID: 9 А
  • Сопротивление RDS(on): до 1.3 Ом
  • Мощность PD: 150 Вт
  • Напряжение VGS: ±30 В
  • Корпус: TO-3P
  • Тип монтажа: Пайка волной
  • Состояние: Новый
  • Назначение: преобразователи, инверторы, силовые цепи, аудиоусилители

Применение:

  • Инверторы и преобразователи высокой напряженности
  • Импульсные источники питания
  • Силовые коммутирующие каскады
  • Аудиоусилители мощности
Характеристики
Основные
ПроизводительToshiba
Страна производительКитай
Канал транзистораN-канал
Максимальная мощность рассеивания150 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток30 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток900 В
Максимально допустимый ток стока9 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)1300 mOm
Тип монтажаПайка волной
Тип транзистораПолевой
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Назва товару2SK3878 K3878 MOSFET Toshiba N-канальный 900 В 9 А RDS(on) 1.3 Ом TO-3P VGS ±30 В PD 150 Вт
Информация для заказа
  • Цена: 57,90 ₴