MOSFET ON Semiconductor 5503DM N-канальний TO-263 SMD 80 А 30 В для силових схем
38,12 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
- Немає в наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: MK2791
MOSFET ON Semiconductor 5503DM N-канальний TO-263 SMD 80 А 30 В для силових схем
Потужний N-канальний MOSFET ON Semiconductor 5503DM у корпусі TO-263 (D2PAK) призначений для комутації навантажень у силових електронних схемах. Підходить для імпульсних блоків живлення, автомобільної електроніки та підсилювачів. Завдяки низькому опору каналу у відкритому стані забезпечує ефективне керування струмами до 80 А при максимальній напрузі 30 В. Поверхневий SMD-монтаж спрощує інтеграцію на плату.
Компактні габарити 9.9×10.2 мм допомагають заощадити місце на друкованій платі без втрати тепловідведення, характерного для форм-фактора TO-263.
Характеристики:
- Тип: N-канальний MOSFET
- Модель: 5503DM
- Виробник: ON Semiconductor
- Корпус: TO-263
- Монтаж: SMD
- Максимально допустима напруга стік-витік: 30 В
- Максимально допустимий струм стоку: 80 А
- Розміри: 9.9×10.2 мм
- Призначення: силові електронні схеми
- Стан: Новий
Основні переваги:
- Низький опір у відкритому стані для зменшення втрат
- Високий струм 80 А при напрузі до 30 В
- Надійний силовий корпус TO-263 із SMD-монтажем
- Сумісність із типовыми силовими платами та радіаторами форм-фактора D2PAK
Застосування:
- Імпульсні блоки живлення
- Автоелектроніка
- Підсилювачі
- DC-DC перетворювачі
- Промислова силова електроніка
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Країна виробник | Китай |
| Канал транзистора | N-канал |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Назва товару | MOSFET ON Semiconductor 5503DM N-канальний TO-263 SMD 80 А 30 В для силових схем |
- Ціна: 38,12 ₴

