2SK3878 K3878 MOSFET Toshiba N-канальний 900 В 9 А RDS(on) 1.3 Ом TO-3P VGS ±30 В PD 150 Вт
72,38 ₴
57,90 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
- Готово до відправки
- Оптом і в роздріб
- Код: MK2846
2SK3878 K3878 MOSFET Toshiba N-канальний 900 В 9 А RDS(on) 1.3 Ом TO-3P VGS ±30 В PD 150 Вт
N-канальний силовий MOSFET 2SK3878 (K3878) від Toshiba розрахований на напругу стік-стік до 900 В і струм до 9 А. Максимальний опір RDS(on) становить 1.3 Ом та розсіювана потужність до 150 Вт роблять його придатним для роботи у перетворювачах, інверторах і силових ланцюгах. Корпус TO-3P полегшує монтаж на радіатор та забезпечує хороше тепловідведення. Діапазон напруги затвор-джерело становить ±30 В.
Підходить для застосувань, де потрібна висока напруга, достатній запас струму і надійність: імпульсні джерела живлення, інвертори, перетворювачі, силові модулі та аудіопідсилювачі.
Характеристики:
- Тип: N-канальний MOSFET
- Напруга VDS: 900 В
- Струм ID: 9 А
- Опір RDS(on): до 1.3 Ом
- Потужність PD: 150 Вт
- Напруга VGS: ±30 В
- Корпус: TO-3P
- Тип монтажу: Пайка хвилею
- Стан: Новий
- Призначення: перетворювачі, інвертори, силові ланцюги, аудіопідсилювачі
Застосування:
- Інвертори та перетворювачі високої напруги
- Імпульсні джерела живлення
- Силові комутаційні каскади
- Аудіопідсилювачі потужності
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Країна виробник | Китай |
| Канал транзистора | N-канал |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 900 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1300 mOm |
| Тип монтажу | Пайка хвилею |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Назва товару | 2SK3878 K3878 MOSFET Toshiba N-канальний 900 В 9 А RDS(on) 1.3 Ом TO-3P VGS ±30 В PD 150 Вт |
- Ціна: 57,90 ₴