IGBT транзистор FGH60N60SFD 600 В 120 А TO-247 ON Semiconductor силовий високошвидкісний
105,25 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
- В наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: MK2949
IGBT транзистор FGH60N60SFD 600 В 120 А TO-247 ON Semiconductor силовий високошвидкісний
Польовий IGBT-транзистор FGH60N60SFD від ON Semiconductor призначений для високочастотного та потужного комутаційного режиму. Працює з напругою до 600 В і струмом до 120 А, що робить його придатним для інверторів, джерел безперебійного живлення, зварювальних апаратів, індукційних нагрівачів і промислових перетворювачів. Корпус TO-247 полегшує монтаж на радіатор та забезпечує ефективний тепловідвід.
Висока швидкість перемикання і низькі втрати енергії сприяють підвищенню ККД силових перетворювачів і зниженню теплових навантажень. Габарити 20,5×15,5×4,9 мм дозволяють використовувати компонент у щільно змонтованих рішеннях промислової електроніки.
Характеристики:
- Тип: IGBT транзистор
- Маркування: FGH60N60SFD
- Виробник: ON Semiconductor
- Максимальна напруга: 600 В
- Максимальний струм: 120 А
- Корпус: TO-247
- Габарити: 20,5×15,5×4,9 мм
- Висока швидкість перемикання
- Низькі втрати енергії
- Призначення: інвертори, UPS, зварювальні апарати, блоки живлення, промислова електроніка
- Стан: Новий
Застосування:
- Інвертори і промислові перетворювачі
- UPS та імпульсні блоки живлення
- Зварювальні апарати
- Індукційні нагрівачі
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Країна виробник | Китай |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 600 В |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Назва товару | IGBT транзистор FGH60N60SFD 600 В 120 А TO-247 ON Semiconductor силовий високошвидкісний |
- Ціна: 105,25 ₴