
Транзистор MOSFET G40T60AN3H 600V 40A TO-3P ON Semiconductor
74,88 ₴
Показати оптові ціниМінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
- Немає в наявності
- Оптом і в роздріб
- Код: MK2829
Транзистор MOSFET G40T60AN3H 600V 40A TO-3P ON Semiconductor
Польовий транзистор G40T60AN3H від ON Semiconductor призначений для роботи у високовольтних і високострумових схемах. Підтримує напругу до 600V і струм до 40A, що робить його придатним для блоків живлення, інверторів та інших потужних електронних пристроїв. Корпус TO-3P забезпечує ефективне відведення тепла та зручний монтаж на радіатор.
Надійні параметри комутації та ресурс моделі дозволяють використовувати цей MOSFET у силових каскадах імпульсних джерел живлення та перетворювачів, де важлива стабільність під навантаженням і стійкість до пікових режимів.
Характеристики:
- Тип: польовий транзистор MOSFET
- Модель: G40T60AN3H
- Максимальна напруга: 600V
- Максимальний струм: 40A
- Корпус: TO-3P
- Бренд: ON Semiconductor
- Стан: Новий
- Призначення: потужні електронні схеми, блоки живлення
Застосування:
- Імпульсні джерела живлення
- Інвертори та перетворювачі
- Силові каскади електроніки
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Країна виробник | Китай |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 600 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 40 А |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувацькі характеристики | |
| Назва товару | Транзистор MOSFET G40T60AN3H 600V 40A TO-3P ON Semiconductor |
- Ціна: 74,88 ₴





